Samsung și IBM anunță un important pas înainte în dezvoltarea cipurilor, care va duce fie la creșterea masivă a autonomiei, fie a performanței, în funcție de modul cum va fi implementat designul de la caz la caz.
Cele două companii vor adopta designul VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistors), care va lua locul modului în care cipurile sunt dezvoltate în prezent.
Pe scurt, pentru a face loc mai multor cipuri, acestea vor fi puse vertical, unele peste altele, în loc să fie montate orizontal, unele lângă altele. Prin urmare, circulația curentului va fie și ea verticală.
Samsung și IBM spun că viitoarele cipuri construite pe acest design vor avea fie o performanță dublă, fie un consum de energie mai mic cu 85%.
Cele două companii oferă și exemple concrete, cazuri în care noul design va aduce beneficii majore. Acestea spun că smartphone-urile pot ajunge la o autonomie mai mare de o săptămână, că minarea criptomonedelor nu va mai consuma la fel de multă energie ca în prezent și că toate domeniile în care se folosesc cipuri, de la IoT la nave spațiale, vor avea numai de câștigat.
Alături de Samsung și IBM, Intel lucrează la un design similar, pe care vrea să-l adopte cândva după 2025.
